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K9HCGZ8U1M-SCK0mp3闪存芯片主图

K9HCGZ8U1M-SCK0mp3闪存芯片参数

制造商IC编号K9HCGZ8U1M-SCK0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码8GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9HCGZ8U1M-SCK0mp3闪存芯片相关信息

意外不断，噩梦再临

今年上半年，内存价格大幅滑落。按以往惯例，内存厂家又开始秀操作。6 月 15 日，日本四日市工厂的意外停电，影响西部数据和东芝存储器公司 NAND 闪存制造厂的生产运营，预计此事件将导致 NAND 闪存晶圆供应量减少六百万 TB 。

与此同时，三星也在酝酿减产。不过令所有人没想到的是，在三星正式减产之前，一件预料之外的事情发生了。7 月初，由于政治纠纷，日本政府开始管控向韩国出口 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料。

日本政府制裁对三星 NAND 闪存生产造生了巨大影响，目前已缩减 NAND Flash 投片，减产幅度逾二成。内存业者分析，三星占 NAND 市场 30％ 份额，此次缩减逾二成产出，等于将减少 6％ 到 8％ 供应量，加上东芝 NAND 工厂上月受意外停电影响，产能影响 3％ 供应量，合计本月起， NAND 产出将减少近一成。于是，内存涨价便顺理成章。

7 月初以来，DDR4 8GB、DDR4 4GB 以及 DDR3 4GB、DDR3 2GB 颗粒现货价格一直在涨。内存业者透露，此次日韩贸易战，将造成强大的 NAND 抢货潮，带动价格进一步反弹。若日韩贸易谈判再僵持，下个季度 DRAM 合约价也将止跌反弹，出现 NAND 与 DRAM 两大内存“双涨”效应。一时间， DIY 装机者的噩梦再度降临。